文章来源：PEM发布日期：2019-09-01
EPE'19 展览会将于 2019 年 9 月 2 日至 5 日在意大利热那亚举行。
我们将展示近来推出的CWT HF罗氏线圈和CWT MiniHF罗氏线圈是新型CWT罗氏线圈，它们具有高带宽和新型静电屏蔽，抗干扰能力极强。新型 CWTHF 是 CWT 系列的新产品，这些新型的宽带探头使用了新型静电屏蔽罗哥夫斯基线圈，具有出色的抗干扰能力，可抵御快速局部 dV/dt 瞬变或 50/60Hz 大电压的干扰。
新型 CWT HF罗氏线圈能够测量更快的瞬态电流上升时间，300 毫米线圈的高频（-3dB）带宽高达 30MHz，并能处理超过 100kA/µs 的大电流斜率。CWT HF罗氏线圈电流探头采用厚度为 8.5 毫米的坚固线圈，峰值绝缘电压为 10kV。
为配合此次新产品介绍，Chris Hewson 博士将举办一场参展商研讨会，主题为 "在电力电子中使用高频优化 CWT HF罗氏线圈电流传感器的延迟、上升时间和压摆率"。本讲座将介绍 PEM 新型 CWT HF 罗果夫斯基电流传感器带宽的改进，以及这如何开辟了新的应用领域，包括在碳化硅半导体中进行测量。了解高频带宽的限制，以及这在实践中如何与这些新型快速探头的上升时间、回转率和延迟相关联，将通过实际测量示例进行讨论和说明。
我们还将展示近来推出的用于高速和高功率密度电力电子应用的CWT Mini50HF罗氏线圈，它具有更快的上升时间和出色的抗局部瞬态电压能力。这种带宽更高的探头非常适合测量当今新型半导体技术中更快的瞬态电流，这些技术要求更快的接通和关断时间、更高的阻断电压和更小的电路，因此需要更小、温度更高、速度更快的电流探头。
CWT Mini50HF 采用罗戈夫斯基技术，扩展了CWT MiniHF系列的高频功能，使其能够测量快至 12.5ns 的上升时间，100 毫米、3.5 毫米厚的小线圈具有 50MHz 的高频（-3dB）带宽和 80kA/µs 的峰值 di/dt 能力。该探头具有出色的抗快速局部 dV/dt 瞬变干扰能力。CWT Mini50HF 起初的峰值电流额定值为 600A 和 1200A，线圈厚度为 3.5 毫米，峰值绝缘电压为 2 千伏。
与会代表还可现场观看 GaN FET 开关演示，该开关采用了新型抗噪、高速（>50MHz）、紧凑型传感器。
我们还将展示全系列罗戈夫斯基波形传感器、探头和工业传感器，包括 CWT、Ultra Mini、RCT 和 CMC 系列罗氏线圈。
